«Для всех нас это тяжелая, невосполнимая утрата! После тяжелой болезни 24 июня 2021 года, на 72-м году жизни, скончался ведущий сотрудник Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, выдающийся учёный, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН, заведующий лабораторией физики и технологии трехмерных наноструктур Виктор Яковлевич Принц, - сообщили в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. - Виктор Яковлевич всегда уделял большое внимание воспитанию молодежи. Лаборатория под его руководством – одна из самых молодых в Институте. Всегда открытый, преданный идеалам науки, неравнодушный к родному Институту он был для нас примером искреннего служения науке. Выражаем искренние соболезнования коллегам, родным и близким!».
Причиной смерти ученого называют коронавирус. «Вчера умер от ковида мой знакомый. Ученый с мировым именем, профессор Виктор Яковлевич Принц. Автор Принц-технологии, на основе которой мы вместе с его группой, с кандидатом физико-математических наук Селезневым В.А., работали над созданием трубчатого датчика термоанемометра. Упокой, Господи, его душу», - написал на своей странице ученый-физик из Академгородка, микроминиатюрист Владимир Анискин.
Прощание с Виктором Принцем состоится 28 июня. Виктор Принц - автор 240 научных работ, 120 патентов и 3 монографий. Являлся экспертом по физике и нанотехнологии «Сколково», РФФИ, ОНЭКСИМГРУПП, входил в федеральный реестр экспертов ФГБНУ НИИ РИНКЦЭ. На протяжении многих лет являлся рецензентом журналов издательства IOP. Виктор Принц с сотрудниками создал принципиально новые классы трехмерных микро - и наноструктур, на основе которых в ИФП CO РАН и институтах США, Германии, Японии, Швейцарии, Канады, Франции, Нидерландов создан целый ряд новых наноматериалов и приборов: от трубчатого лазера до нанороботов. В созданных трехмерных микро- и наноструктурах открыт новый класс градиентных явлений, отсутствующих в плоских структурах.
Автор Принц-технологии, которую назвали в честь предложившего этот метод физика в 1995 году. Это метод формирования трёхмерных микро- и наноструктур, основанный на отделении напряжённых полупроводниковых плёнок от подложки и последующего сворачивания их в пространственный объект.
Сам Виктор Принц ранее рассказывал «Вечернему Новосибирску» о Принц-технологии: «Мне больше нравится, когда в иностранных обзорах ее называют российской или нанотехнологией из России или технологией из Сибири. В чем ее преимущество? В высокой точности изготовления самых различных трехмерных атомно-гладких нанообъектов, достижении рекордно малых размеров нанопродуктов. По существу, она осуществила переход от плоских наноструктур к трехмерным».
Виктор Принц родился 4 апреля 1950 года, в 1972 окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика». Работал в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН на должностях младшего, старшего научного сотрудника. В 1980 году защитил кандидатскую диссертацию «Исследование электрически активных центров в арсениде галлия и твердых растворах на его основе методами ёмкостной спектроскопии». С 1992 года — заведующий лабораторией физики и технологии трёхмерных наноструктур. 18 октября 2005 года защитил докторскую диссертацию «Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур».