 |
Корпорация Intel завершила отладку технологического процесса и изготовила первые полупроводниковые микросхемы на своем экспериментальном заводе в Хилсборо, шт. Орегон. Завод, имеющий кодовое обозначение D1C, - первое в отрасли предприятие, способное производить готовые компьютерные микросхемы по новейшей 0,13-микронной технологии на подложках диаметром 300 мм. Это знаменательное достижение позволит Intel реализовать свои планы по массовому выпуску микросхем на основе усовершенствованной технологии уже в начале следующего года.
"Intel стала первой в отрасли компанией, изготовившей полупроводниковые компоненты по 0,13-микронной технологии на подложках диаметром 300 мм, - сообщил старший вице-президент и генеральный директор подразделения Intel Technology and Manufacturing Group Сунлинь Чу (Sunlin Chou). - Для Intel это достижение знаменует начало новой эры высокорентабельного массового производства. Для наших клиентов это означает, что компоненты и технологии станут более совершенны и доступны".
"Intel рассчитывает, что микросхемы, изготовленные на подложках диаметром 300 мм, будут на 30% дешевле, чем при использовании подложек меньшего размера, - рассказал руководитель программы по освоению больших подложек Том Гэррет (Tom Garrett). - Уменьшив размеры проводников микросхем до 0,13 микрон и увеличив диаметр подложек до 300 мм, мы сможем вчетверо повысить производительность наших стандартных заводов, находящихся в эксплуатации".
Увеличение диаметра подложки до 300 мм (около 12 дюймов) приведет к значительному повышению объемов производства компьютерных чипов, и при этом они станут дешевле. Площадь новых подложек более чем в два раза превышает площадь подложек диаметром 200 мм (около 8 дюймов), наиболее широко использующихся в современном производстве полупроводниковых компонентов. При том, что общая (геометрическая) площадь новой подложки составляет 225% площади стандартной, эффективная площадь (поверхность, на которой формируются микросхемы) возрастает даже в большей степени - на 240%. Увеличение подложки приводит к сокращению производственных затрат в расчете на одну микросхему и позволяет повысить эффективность использования ресурсов и вспомогательных расходных материалов. Производство, на котором используются подложки диаметром 300 мм, будет потреблять в расчете на одну готовую микросхему на 40% меньше энергии и воды, чем завод, где применяются подложки диаметром 200 мм.
Экспериментальный завод D1C
Экспериментальный завод D1C расположен в Хилсборо, шт. Орегон. Площадь его "чистой комнаты" составляет 135 тыс. кв. футов (более 12,5 тыс. кв. м), что превышает размеры производственных помещений большинства предприятий отрасли.
При создании экспериментального завода D1C основное внимание уделялось автоматизации производства, и все остальное было подчинено этой цели. Учитывая возросшие размеры и вес подложек, разработка автоматизированных линий, обеспечивающих их быстрое и эффективное перемещение между рабочими операциями, стала одной из важнейших задач.
На заводе Intel D1C впервые в мире применена многоуровневая автоматическая линия со связанными транспортными потоками, которая обеспечивает полную автоматизацию транспортировки заготовок и распределения материалов. Планирование схемы связей между рабочими постами на заводе D1C напоминает алгоритм трассировки металлизированных межсоединений в микропроцессорах. Используемая на D1C система поддержки принятия решений использует возможности Web для удаленной диагностики, которая может осуществляться в любой момент и откуда угодно.
0,13-микронная производственная технология Intel
Завод D1C будет выпускать микросхемы, изготовленные на подложках диаметром 300 мм по новой 0,13-микронной технологии. Эта технология позволит Intel производить чипы с проводниками, толщина которых составляет одну тысячную толщины человеческого волоса. Применение новой технологии открывает возможность создания высокопроизводительных микропроцессоров, содержащих более 100 млн. транзисторов и работающих на тактовых частотах в несколько гигагерц.
Производственная технология 0,13 мкм позволяет Intel освоить массовый выпуск самых быстрых в мире транзисторов, которые являются основой самых производительных в отрасли микропроцессоров.
Для формирования сверхбыстродействующих транзисторов Intel использует затвор самого маленького размера и самые тонкие пленочные покрытия. Размеры затворов в транзисторах Intel составляют всего лишь 70 нанометров (0,07 микрона в длину). Новейшая 0,13-микронная технология Intel обеспечивает также формирование оксидного слоя толщиной всего 1,5 нанометра - самого тонкого в промышленном производстве полупроводников, что позволяет достичь наивысшего быстродействия транзисторов и снизить напряжение питания.
В дополнение к сверхмалому размеру затвора и сверхтонкому оксидному слою 0,13-микронная технология Intel предусматривает использование шестислойной структуры медных межсоединений.
Новая технология будет применяться при изготовлении мощных микропроцессоров и других полупроводниковых компонентов, в числе которых будущие версии Pentiumў 4 и других процессоров, микросхемы для сетевого и коммуникационного оборудования.
Более полную информацию об исследованиях и достижениях Intel в области производства полупроводниковых компонентов можно получить в Интернете по адресу: www.intel.com/research/silicon.
