Новосибирск -9.5 °C
  1. ОБЩЕСТВО

Флешку будущего с использованием графена изобрели в Новосибирске

Флешку будущего с использованием графена изобрели в Новосибирске
Фото pixabay.com
Исследования флэш-памяти на основе мультиграфена проводят в Институте физики полупроводников СО РАН в Новосибирске. По быстроте действия и времени хранения информации этот носитель превосходит все аналоги.
Графен – тема модная как с точки зрения фундаментальной науки, так и прикладной. Неудивительно, что на возможность применения мультиграфена (несколько слоев графена) во флэш-памяти обратили внимание в ИФП СО РАН. В частности, ученые исследовали принцип ее действия на основе инжекции (впрыскивания) и хранения электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене), сообщает издание «Наука Сибири».

Кроме мультиграфена, необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первым изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости. 

Эффективность флеш-памяти зависит от работы, которая тратится на удаление электрона из вещества. А у мулитиграфена очень большая работа для выхода электронов, около 5 эВ (электронвольт). Из-за этого на границе мультиграфена и оксида кремния величина потенциального барьера увеличена, поясняют ученые, и составляет примерно 4 эВ.

Мультиграфен, «зажатый» между туннельным и блокирующим оксидами, представляет собой глубокую потенциальную яму, куда заряд скидывается и потом долго хранится. Это дает возможность оптимизировать геометрию флеш-памяти, например, использовать более тонкий туннельный слой.

— Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд, — пояснил принцип действия новой флеш-карты старший научный сотрудник Института физики полупроводников СО РАН Юрий Новиков. 

Тем не менее, данные все равно не смогут храниться вечно: за счет туннельного эффекта инжектированный заряд со временем уменьшается, стекает.

- Чтобы по истечении десяти лет информацию во флеш-памяти можно было распознать, требуются довольно толстые туннельный и блокирующие слои, - рассказал ученый.

Говорить о масштабном производстве флеш-памяти на основе мультиграфена пока рано. Сейчас ученые занимаются фундаментальными исследованиями. Для коммерческого применения в России требуется завод с современными технологиями. По оценкам исследователей, стоить он будет около пяти миллиардов долларов.

Районные СМИ

Не пропустите

Новости раздела

Новости

Больше новостей

Новости районных СМИ

Новости районов

Больше новостей

Новости партнеров

Больше новостей

Самое читаемое: